神经科学家发现低剂量电离辐射治疗创伤性脑损伤 缺血性中风的潜力
创伤性脑损伤 (TBI) 和缺血性中风是主要的公共卫生问题,也是全世界死亡和残疾的主要原因。由香港城市大学(城大)神经科学家领导的研究小组最近发现,低剂量电离辐射(LDIR),例如X射线照射,可以缩小损伤大小并逆转TBI和缺血性中风小鼠的运动缺陷,这表明LDIR 可能是治疗 TBI 和中风患者的一种有前途的治疗策略。
研究结果发表在《大脑、行为和免疫》杂志上,标题为“低剂量电离辐射通过解决脑损伤和中风后的炎症反应来促进运动恢复和大脑重新布线”。
近一半的创伤性脑损伤和中风幸存者患有终生运动障碍和残疾。“通常,继发性脑损伤(TBI)(机械损伤,例如车祸或老年人跌倒)和中风(流向大脑的血液受阻)之后,继发性脑损伤会随着时间的推移而恶化,这是由于体内不利且敌对的神经炎症环境造成的。负责这项研究的城大神经科学系教授马志谦 (Eddie Ma Chi-him) 解释道。“但目前尚无有效的治疗方法来修复脑损伤后的中枢神经系统。”
人们早就知道,低剂量X射线照射可以增强适应性反应,包括延长平均寿命、刺激免疫系统、愈合伤口和刺激动物细胞生长以及神经退行性疾病动物模型中的神经保护,这主要是由于到免疫调节。基于这些研究,马教授及其团队推测LDIR的免疫调节作用可能在减轻脑损伤后的损伤和促进伤口愈合方面发挥关键作用。
在他们的研究中,他们发现低剂量X射线照射完全逆转了TBI和中风小鼠的运动缺陷,并恢复了中风后的大脑活动。更重要的是,延迟八小时的低剂量X射线照射治疗对于中风后运动功能的完全恢复仍然有效,这对于将研究结果转化为临床应用具有高度的临床相关性,因为这很可能发生在临床环境中
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